1.本发明涉及靶材加工生产领域，尤其涉及一种铜铟镓硒旋转溅射靶材制备方法。

背景技术：

2.铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等显著特点，光电转换效率居各种薄膜太阳电池之首，接近于晶体硅太阳电池，而成本只是它的三分之一，被称为下一代非常有前途的新型薄膜太阳电池，是近几年研究开发的热点。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对于外观有较高要求场所的理想选择。铜铟镓硒旋转溅射靶材是一种新型的溅射靶材，是制作铜铟镓硒薄膜太阳能电池的组件核心材料，产品主要用于溅射硒化工艺制备cigs铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电转化层材料。

3.专利号cn102199751b公开了一种铜铟镓硒靶材的制作方法，通过将铜铟镓硒原料粉碎混合，制成铜铟镓硒化合物粉末，再将铜铟镓硒化合物粉末以一成型机压制为一胚体，再将胚体进行高温烧结形成靶材，形成铜铟镓硒靶材，该工艺有效缩短了反应时间，提高了生产效率，但是该工艺采用热压烧结的方式，需要使用高温设备，制造成本较高；因为设备限制，无法满足大尺寸靶材的制作；制造的靶材为平面靶材。溅射利用率较低，成本较高，因此解决这个问题就变得很重要了。