背景技术：

学术界和产业界普遍认为太阳能电池的发展已经进入了第三代。第三代太阳能电池就是铜铟镓硒cigs等化合物薄膜太阳能电池及薄膜si系列太阳能电池。铜铟镓硒太阳能电池是薄膜太阳能电池中转换效率最高的电池，具有很好的发展潜力。由于铜铟镓硒薄膜太阳能电池具有敏感的元素配比和复杂的多层结构，因此，其对制备方法和制备条件的要求极为苛刻，产业化进程十分缓慢。目前，制备铜铟镓硒薄膜常用的方法是“硒化”的方法。“硒化”的方法主要步骤包括：先把cu-in-ga熔炼成合金，并制备成可以用于溅射的靶材，然后通过溅射工艺，在mo层上形成cu-in-ga薄膜，再将se加热蒸发成气体，使se原子沉积在cu-in-ga层上并通过原子扩散与cu-in-ga进行反应生成guinxgax-1se2化合物。上述“硒化”方法的缺点在于：生产周期长、生产效率低；能耗高；se不仅具有剧毒，容易造成安全事故，而且气态se对其他金属具有很强的腐蚀性，容易造成泄露se蒸汽；制备的薄膜中，se的分布不均匀等。这种方法制备铜铟镓硒太阳能电池的成本很高。生产铜铟镓硒太阳能电池较为理想的方法是一步溅射法，就是将已经制备好的铜铟镓硒靶材通过一次溅射即可制备出均匀的铜铟镓硒薄膜。铜铟镓硒靶材是采用一次溅射法制备铜铟镓硒薄膜的基础，而铜铟镓硒合金又是制备铜铟镓硒靶材的基础。目前，工业合成铜铟镓硒靶材还存在不少问题，比如：生产周期长，产量低，产品不稳定，腐蚀设备等。

技术实现要素：

针对所提到的问题，本发明提供了一种铜铟镓硒靶材的制备方法，步骤包括：

1)按重量份数比为8～10：23～26：7～9选取铜、铟、镓原料，破碎成粗粉，混合均匀；

2)将破碎后的粗粉进行气流磨制，制得粉末，所述粉末粒度为4.5～5.5μm；

3)将气流磨制后的混合粉末装入反应釜中，抽真空后向反应釜内充入氩气，所述氩气的压强为0.3～0.5mpa，流量为30～40cc/min；

4)将所述反应釜升温至300～400℃，保温1～3h；